PASS bietet die Durchführung von Oberflächen- und Festkörper-Analysen

Unser Service umfaßt sowohl einfache Routine-Messungen als auch umfangreiche Untersuchungen zur Klärung komplexer Fragestellungen, sowie die Erarbeitung von Vorschlägen für Material- und Bauteil-Optimierungen. Folgende Verfahren stehen zur Verfügung:

1. Oberflächen- und Dünnschicht-Analytik
   • Photoelektronen-Spektrometrie (Auger, XPS/ESCA, UPS)
   • SIMS (Massenspektren, Tiefenprofile, Images)
2. Optische Analysen
   • Absorptions-/Lumineszenz-Messungen im Spektralbereich 0,185 - 50 µm
   • Spektralanalyse von Licht verschiedener Quellen
   • Bestimmung von Polarisations-Eigenschaften (im Bereich 0,2 - 1,5 µm und bei Temperaturen von 4 - 300 K)
3. Elektrische Charakterisierungen
   • Leitfähigkeit und Hall-Effekt. Bestimmung von Trägerdichten und Beweglichkeiten im Temperaturbereich 4 - 800 K, bei Magnetfeldern bis 4 T und Stromstärken bis 10^-16 A
4. Magnetische Resonanz-Spektroskopie
   • Elektronenspinresonanz (ESR) mit ENDOR-Zusatz und elektrisch detektierter Spinresonanz
   • optisch detektierte magnetische Resonanz (ODMR)

Technologische Innovationen basieren heute in zunehmendem Maß auf optoelektronischen Materialien und Dünnschichten. Ihre Optimierung erfordert moderne Oberflächen- und Festkörper-Analytik. Typische Aufgabenstellungen und Parameter von Interesse sind in diesem Zusammenhang:

• Analyse von Restverunreinigungen
• Dotierungskontrolle in Halbleitern und Bestimmung der Tiefen- und Flächenhomogenität
• Kontrolle von Diffusionseinflüssen an Interfaces
• Analyse mikroskopischer Defektstrukturen und Ladungsträger-Rekombinationszentren
• Stabilität der Schichtoberflächen gegenüber Feuchtigkeit und Lufteinflüssen
• Optisches Verhalten - Transmission, Reflexion, Polarisation, Brechung
• Dielektrische Funktion
• Ladungsträger-Konzentrationen und Beweglichkeiten
• Bandstrukturen und Bindungsverhältnisse in Dünnschichten.

Im Rahmen eigener Forschungs- und Entwicklungstätigkeiten beschäftigten wir uns in jüngster Vergangenheit mit der Gasphasen-Epitaxie und Charakterisierung von Gruppe-III-Nitriden (z.B. GaN) und ihrer Anwendung als blaue Emitter, bzw. UV-Detektoren, mit der Bestimmung der elektronischen Defektstruktur in CuInSe₂- Solarzellen und ihrem Einfluß auf den Solarzellen-Wirkungsgrad, sowie mit der Optimierung gesputterter thermochromer VO₂-Schichten für energiesparende Architekturgläser.